
Samsung şi IBM, performanțe duble cu designul VTFET
Samsung şi IBM trec pe designul Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET), un pas înainte în dezvoltarea cipurilor, scrie News.ro. Pe scurt, pentru a face
Samsung şi IBM trec pe designul Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET), un pas înainte în dezvoltarea cipurilor, scrie News.ro. Pe scurt, pentru a face
Samsung şi IBM trec pe designul Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET), un pas înainte în dezvoltarea cipurilor, scrie News.ro. Pe scurt, pentru a face